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(2303)聯電-聯華電子與IBM達成協議，開發20奈米暨FinFET 3D 電晶體製程技術
1.事實發生日:101/06/29
2.契約或承諾相對人: IBM Corporation
3.與公司關係:無。
4.契約或承諾起迄日期（或解除日期）:101/06/29
5.主要內容（解除者不適用）:詳其他應敘明事項。
6.限制條款（解除者不適用）:依契約規定。
7.對公司財務、業務之影響（解除者不適用）:對公司財務、業務有正面助益。
8.具體目的（解除者不適用）:此技術授權將加速聯華電子次世代尖端技術的研發時程。
9.其他應敘明事項:聯華電子今日(29日)宣佈已取得IBM所授權的技術，將以FinFET 3D電晶體，促進次世代尖端20奈米CMOS製程的開發。雙方協議IBM將授權其20奈米設計套件以及FinFET技術給聯華電子，聯華電子將可運用這些技術，加快推出這些製程給客戶採用的時程。
聯華電子先進技術開發副總陳一浸博士表示，”對於這次與世界知名技術領導者IBM所進行的協議，我們感到十分高興。聯華電子身為全球晶圓專工領導者，必須掌握先機適時推出尖端製程，以協助客戶實現其次世代晶片設計。而借重IBM的專業技術來縮減我們20奈米與FinFET研發週期，將可為聯華電子與我們的客戶創造雙贏。”
聯華電子與IBM兩家公司的協議內容，包括IBM的20奈米CMOS與FinFET技術。聯華電子內部自行研發的20奈米平面(planar)製程，將與IBM的設計規則與製程/元件目標同步，未來聯華電子的FinFET技術，將針對行動運算與通訊產品，做為更強化的低耗電技術選項。此項研發將於聯華電子位於南科的研發中心進行。
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