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(2303)聯電-聯華電子加入IBM晶片聯盟，共同開發10奈米製程技術
1.事實發生日:102/06/13
2.契約或承諾相對人:IBM
3.與公司關係:無。
4.契約或承諾起迄日期（或解除日期）:102/06/13
5.主要內容（解除者不適用）:詳其他應敘明事項。
6.限制條款（解除者不適用）:依契約規定。
7.對公司財務、業務之影響（解除者不適用）:對公司財務、業務有正面助益。
8.具體目的（解除者不適用）:聯華電子將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10奈米CMOS製程技術
9.其他應敘明事項:
聯華電子加入IBM晶片聯盟，共同開發10奈米製程技術
兩家公司將進行先進技術合作
聯華電子與IBM今日(13日)共同宣布，聯華電子將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10奈米CMOS製程技術。
IBM半導體研發副總Gary Patton表示：「IBM聯盟成立至今已逾十年，聯盟夥伴可整合運用我們的專業知識，團隊研究合作與創新的技術研發，藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求。聯華電子的加入，將使聯盟的實力更加強大。」
聯華電子執行長顏博文表示：「IBM為眾所公認的半導體技術領導者。聯華電子十分高興與IBM在先進製程領域攜手合作，貢獻我們多年來開發高競爭力製造技術所累積的經驗。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一，聯華電子肩負著適時推出尖端製程，以實現客戶次世代晶片設計的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作，借重其深厚的技術專業來縮短我們10奈米與FinFET 的研發週期，為聯華電子與我們的客戶締造雙贏。」
聯華電子與IBM兩家公司此次的協議，拓展了雙方於2012年簽訂之14奈米FinFET合作協議。擁有IBM的支援與know-how，聯華電子將可持續提升其內部自行研發的14奈米FinFET技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優化技術。雙方計畫開發10奈米製程基礎技術，以滿足聯華電子客戶的需求。聯華電子將指派工程團隊加入位於美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10奈米研發計畫，而聯華電子14奈米FinFET與10奈米未來的製造，則將於聯華電子位在台灣南科的研發中心進行。
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