方法

製程

優點

缺點

機械剝離法

利用膠帶的黏著機械力對高結晶性石墨材料做重複性黏貼，可進行石墨剝層而得到多層甚至單層石墨烯。

1.可獲得高品質石墨烯。

2.低成本，任何人均能製作。

1.此方法所備製的單層石墨烯面積不大，僅能提供基礎研究用。

2.不適合量產。

CVD法(化學氧相沈積法)

通入碳源氣體於高溫環境中，經由催化劑裂解，碳原子將沈積在催化劑金屬表面上，並於高溫環境下擴散進入催化劑內部，在降溫時(非平衡狀態下)再於催化劑表面析出。

1.可增大面積。

2.與半導體製程相容，且設備簡單，只要提供高溫環境的爐管，加上通入氣體源即可。

1.高溫工藝。

2.轉印時可能會出現缺陷。

矽(SiC)熱分解法

需要有超高真空以及極高溫的環境。

可增大面積。

1.高溫工藝。

2.不利於與半導體製程相容。

3.SiC基板價格昂貴。

4.很難從SiC基板轉印。

氧化還原法

利用化學方式進行表面改質，將單層石墨烯分散於溶液中，沈積於不同基板之上，最後再利用適當的高溫退火或是和強還原劑反應，以還原成原本的石墨烯。

1.低成本。

2.適合塗布型晶體管。

1.很難製備沒有晶界的高品質石墨烯薄片。

2.還原反應並無法100%完全反應，並遺留下許多晶格缺陷，而使其導電性大為降低。