TSV 製程成本分析
全球3D TSV封裝應用市場比重

前後鑽孔比較

步驟	前鑽孔Via First	後鑽孔Via Last
1	製作 TSV 導孔	製作晶圓後段之導線連接(BEOL)
2	沉積介電層	晶圓黏上晶圓載具進行薄化
3	沉積鈍化層與導孔之導電層充填	晶圓背面製作 TSV 導孔
4	製作晶圓後段之導線連接(BEOL)	沉積介電層
5	晶圓薄化與 TSV 接點製作	沉積鈍化層與導孔之導電層充填
6	晶圓背面之導線連接	晶圓背面之導線連接

三大系統整合比較

型式	SiP	3D IC	SoC
系統組成	多晶片封裝於同一晶片上	多晶片封裝於同一晶片上	多個不同功能IC整合到單一晶片
封裝收縮	好	極好	優
密度	好	極好	優
異質整合	優	極好	正常
功耗	好	極好	優
節能	低	正常	好
規模生產成本	低	低	極低
主要應用	適合開發時間短、量不大的產品，特別是DSC、MP3及PND等消費性電子產品。或者在手機附加功能的及新標準的網通IC等，這類市場敏感度高的通訊產品，可藉由SiP技術搶佔市場。	適合記憶體與邏輯IC整合，主要三大應用：記憶體(DRAM和NAND Flash)、CIS晶片和MEMS應用。	適合量大且產品生命週期長的產品，如CPU、晶片組、GPU等資訊產品，以及手機IC、網通IC等通訊手持產品為主