• 砷化鎵-功率放大器產業概念股
  • 數據分析
2016年全球砷化鎵磊晶市佔率

2016年全球砷化鎵元件市佔率

2016年全球砷化鎵代工市佔率




  • 相關分析

GaAs PA和CMOS PA比較表

　

GaAs PA

CMOS PA

優點

可支援高頻率和高功率產品

  1. 成本較低
  2. 可縮小晶片尺寸

缺點

成本較高

  1. 支援功耗低
  2. 電路特性差
  3. 無法使用在超過20GHz的頻段設計

主要應用領域

無線網路設備、手機

藍芽、ZigBee

製造廠商

RFMD、Skyworks、Avago

Javelin Semiconductor

註：功率放大器市場仍以GaAs PA為主流。

　

砷化鎵半導體各製程技術比較表

　

MESFET
金屬半導體場效電晶體

pHEMT
假性高速電子移動電晶體

HBT
異質接面雙極電晶體

晶圓成長方式

None

MBE/MOCVD

MBE/MOCVD

元件尺寸

大

中

小

結構

水平

水平

垂直

頻率範圍

<18GHz

<100GHz

<18GHz

功率密度

低

中

高

負閘極電流

需要

需要

不需要

線寬

0.15~0.5

0.15~0.5

1.0~2.0

製造成本

中

高

中

註：HBT為功率放大器生產主流技術。